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IRF7341QPBF

厂家：
  International Rectifier
封装：
 SOIC-8
数量：
 7173  
说明：
 MOSFET
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IRF7341QPBF PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：2.4 W
栅极电荷 Qg：29 nC
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：65 mOhms
漏极连续电流：5.1 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：International Rectifier

以上是IRF7341QPBF的详细信息，包括IRF7341QPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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