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IRF7338PBF

厂家：
  International Rectifier
封装：
 8-SO
数量：
 6381  
说明：
 MOSFET 12V DUAL N- & P- CH HEXFET
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IRF7338PBF-8-SO图片

IRF7338PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns, 27 ns
上升时间：7.6 ns, 13 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：5.7 nC
下降时间：34 ns, 25 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：34 mOhms
漏极连续电流：6.3 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF7338PBF的详细信息，包括IRF7338PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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