IRF1503STRLPBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 D2PAK
数量:
 5967  
说明:
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
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IRF1503STRLPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:59 ns
工厂包装数量:800
上升时间:130 ns
功率耗散:200 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:130 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :75 S
下降时间:48 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single Quint Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.3 mOhms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

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