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IRF1902GPBF

厂家：: International Rectifier
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 2997
说明：: MOSFET

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IRF1902GPBF PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：95
上升时间：13 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：7.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5.6 S
下降时间：19 ns
包装形式：Tube
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：85 mOhms
漏极连续电流：4 A
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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