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IRF1902PBF

厂家：
  International Rectifier
封装：
 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：
 6012  
说明：
 MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 85mOhms 5nC
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IRF1902PBF-8-SOIC（0.154

IRF1902PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23 ns
工厂包装数量：95
上升时间：13 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：5 nC
下降时间：19 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：85 mOhms
漏极连续电流：4.2 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF1902PBF的详细信息，包括IRF1902PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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