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IPSH4N03LAG

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-251
数量：
 8478  
说明：
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPSH4N03LAG PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：29 ns
上升时间：7 ns
功率耗散：94 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：4.6 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-251
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.6 m Ohms
漏极连续电流：90 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPSH4N03LAG的详细信息，包括IPSH4N03LAG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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