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IPSH5N03LA G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO251-3-11
数量：
 8478  
说明：
 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
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IPSH5N03LA G-PG-TO251-3-11图片

IPSH5N03LA G PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.4 毫欧 @ 50A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 35µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2653pF @ 15V
功率 - 最大：83W
安装类型：通孔

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