IPSH9N03LAG

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-251
数量：: 8514
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPSH9N03LAG PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：16 ns
上升时间：4 ns
功率耗散：52 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：2.8 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-251
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：16.8 m Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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