首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPI05CN10N G

IPI05CN10N G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO262-3
数量：
 4383  
说明：
 MOSFET N-CH 100V 100A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPI05CN10N G-PG-TO262-3图片

IPI05CN10N G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPI05CN10NGXK
典型关闭延迟时间：64 ns
上升时间：42 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：21 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0054 Ohms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI05CN10N G的详细信息，包括IPI05CN10N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • BSZ067N06LS3GATMA1
  • BSC066N06NSATMA1
  • IPP80N06S208AKSA2
  • STU9N60M2
  • TSM150P03PQ33 RGG
  • STD9N60M2
  • SQJA20EP-T1_BE3
  • IRFR010PBF-BE3
  • TJ90S04M3L,LXHQ
  • RD3P175SNFRATL

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC