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IPI070N06N G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO262-3
数量：
 4419  
说明：
 MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
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IPI070N06N G-PG-TO262-3图片

IPI070N06N G PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7 毫欧 @ 80A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 180µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：118nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4100pF @ 30V
功率 - 最大：250W
安装类型：通孔

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