IPI070N08N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO262-3
数量:
 4428  
说明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPI070N08N3 G PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SP000680672
典型关闭延迟时间:31 ns
工厂包装数量:500
功率耗散:136000 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Tube
封装形式:TO-262
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):7 mOhms
漏极连续电流:80 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:80 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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