IPD80N04S306

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252
数量：: 180
说明：: MOSFET

一、本商品被浏览0次.

IPD80N04S306 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：10 ns
功率耗散：100 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6 m Ohms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPD80N04S306的详细信息，包括IPD80N04S306厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：