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IPD80N06S3-09

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO252-3-11
数量：
 3960  
说明：
 MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms
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IPD80N06S3-09 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD80N06S309XT
典型关闭延迟时间：26 ns
上升时间：42 ns
功率耗散：107 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：37 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.4 m Ohms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD80N06S3-09的详细信息，包括IPD80N06S3-09厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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