IPD25N06S4L-30

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO252-3
数量：: 5911
说明：: MOSFET N-Channel 60V MOSFET

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IPD25N06S4L-30 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD25N06S4L30ATMA1 IPD25N06S4L30ATMA2 SP000481508
典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：1 ns
功率耗散：29 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：12.5 nC
下降时间：2 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TO252-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：30 mOhms
漏极连续电流：25 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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