IPD30N03S4L14

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252
数量:
 8352  
说明:
 MOSFET
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IPD30N03S4L14 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:2500
功率耗散:31 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):13.6 m Ohms
漏极连续电流:30 A
闸/源击穿电压:1 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPD30N03S4L14的详细信息,包括IPD30N03S4L14厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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