IPD30N03S4L-09

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252
数量：: 3456
说明：: MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V

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IPD30N03S4L-09 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09XT SP000415578
典型关闭延迟时间：12 ns
工厂包装数量：1
功率耗散：42000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9 mOhms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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