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IPB13N03LB

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 4545  
说明：
 MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1355pF @ 15V
功率 - 最大52W
安装类型表面贴装

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