IPB13N03LB G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 4554  
说明:
 MOSFET N-CH 30V 30A
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:16 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:4 ns
功率耗散:52 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :42 S
下降时间:2.8 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):18.6 m Ohms
漏极连续电流:30 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB13N03LB G的详细信息,包括IPB13N03LB G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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