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IPB13N03LB G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 4554
说明：: MOSFET N-CH 30V 30A

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IPB13N03LB G-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：16 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：4 ns
功率耗散：52 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：42 S
下降时间：2.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：18.6 m Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB13N03LB G的详细信息，包括IPB13N03LB G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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