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IPB14N03LAT

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO263-3-2
数量：
 1989  
说明：
 MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13.6 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：8.3nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1043pF @ 15V
功率 - 最大：46W
安装类型：表面贴装

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