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IPB144N12N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263-3
数量：
 3035  
说明：
 MOSFET N-Channel 120V MOSFET
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IPB144N12N3 G-TO-263-3图片

IPB144N12N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB144N12N3GATMA1 IPB144N12N3GXT SP000694166
典型关闭延迟时间：24 nS
上升时间：9 nS
功率耗散：107 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：37 nC
下降时间：4 nS
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：14.7 mOhms at 10 V
漏极连续电流：56 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：120 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB144N12N3 G的详细信息，包括IPB144N12N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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