IPB097N08N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 1638  
说明:
 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPB097N08N3 G-TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB图片

IPB097N08N3 G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:IPB097N08N3GATMA1 IPB097N08N3GXT SP000474200
典型关闭延迟时间:22 ns
工厂包装数量:1000
功率耗散:100000 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):9.7 mOhms
漏极连续电流:70 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:80 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB097N08N3 G的详细信息,包括IPB097N08N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC