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IPB080N06N G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-3-2
数量：: 1571
说明：: MOSFET N-CH 60V 80A

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IPB080N06N G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB080N06NGXT
典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：1
上升时间：15 ns
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：14 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.008 Ohms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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