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IPB085N06L G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 1584
说明：: MOSFET N-CH 60V 80A

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IPB085N06L G-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

IPB085N06L G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB085N06LGXT
典型关闭延迟时间：53 ns
上升时间：19 ns
功率耗散：188 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：18 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0085 Ohms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB085N06L G的详细信息，包括IPB085N06L G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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