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IPB083N10N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263
数量：
 2260  
说明：
 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
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IPB083N10N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GXT SP000458812
典型关闭延迟时间：31 ns
工厂包装数量：1000
功率耗散：125000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.3 mOhms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB083N10N3 G的详细信息，包括IPB083N10N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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