FQPF12N20L

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220F
数量:
 2970  
说明:
 MOSFET
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FQPF12N20L-TO-220F图片

FQPF12N20L PDF参数资料

中文参数如下:
典型关闭延迟时间:60 ns
上升时间:190 ns
功率耗散:45 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:120 ns
封装形式:TO-220F
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.28 Ohms
漏极连续电流:8.2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQPF12N20L的详细信息,包括FQPF12N20L厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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