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FQPF12N60C

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220-3 整包
数量：
 1872  
说明：
 MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQPF12N60C-TO-220-3 整包图片

FQPF12N60C PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FQPF12N60C_NL
典型关闭延迟时间：155 ns
工厂包装数量：50
上升时间：85 ns
功率耗散：51 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：13 S
下降时间：90 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220F
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.65 Ohms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQPF12N60C的详细信息，包括FQPF12N60C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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