FQPF13N06

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220F
数量：: 1935
说明：: MOSFET 60V N-Channel QFET

一、本商品被浏览0次.

FQPF13N06 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：8 ns
工厂包装数量：50
上升时间：25 ns
功率耗散：24 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4.8 S
下降时间：15 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220F
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.135 Ohms
漏极连续电流：9.4 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQPF13N06的详细信息，包括FQPF13N06厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：