FGA30T65SHD

厂家：: onsemi
封装：: TO-3PN
数量：: 2223
说明：: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN

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FGA30T65SHD PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：31.8 ns
测试条件：400V，30A，6 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：14.4ns/52.8ns
栅极电荷：54.7 nC
输入类型：标准
开关能量：598μJ（开），167μJ（关）
功率 - 最大值：238 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：90 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：onsemi

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