FGA40N65SMD

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3PN
数量：: 6768
说明：: IGBT 晶体管 650V, 40A Field Stop IGBT

一、本商品被浏览0次.

FGA40N65SMD PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：30
安装风格：Through Hole
包装形式：Tube
封装形式：TO-3PN
功率耗散：349 W
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：80 A
栅极/发射极最大电压：20 V
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGA40N65SMD的详细信息，包括FGA40N65SMD厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：