FGA50N100BNTD2

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P
数量：: 6300
说明：: IGBT 晶体管 N-ch / 50A 1000V

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FGA50N100BNTD2 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：30
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-3PN
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：156 W
栅极—射极漏泄电流：500 nA
在25 C的连续集电极电流：50 A
栅极/发射极最大电压：25 V
集电极—射极饱和电压：1.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

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