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FGA50N100BNTDTU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-3P
数量：
 6309  
说明：
 IGBT 晶体管 600V 4 0A UFD
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FGA50N100BNTDTU-TO-3P图片

FGA50N100BNTDTU PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：30
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：50 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：156 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 500 nA
栅极/发射极最大电压：+/- 25 V
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGA50N100BNTDTU的详细信息，包括FGA50N100BNTDTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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