FDV302P_NB8V001

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOT-23-3
数量:
 14998  
说明:
 MOSFET Digital FET P-Ch
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FDV302P_NB8V001-SOT-23-3图片

FDV302P_NB8V001 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:9 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:8 ns
功率耗散:350 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:8 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10000 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:0.12 A
闸/源击穿电压:8 V
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDV302P_NB8V001的详细信息,包括FDV302P_NB8V001厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC