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FDV302P_NB8V001

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-23-3
数量：
 14998  
说明：
 MOSFET Digital FET P-Ch
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FDV302P_NB8V001-SOT-23-3图片

FDV302P_NB8V001 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：9 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：8 ns
功率耗散：350 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10000 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：0.12 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDV302P_NB8V001的详细信息，包括FDV302P_NB8V001厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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