FDV303N_NB9U008

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
数量:
 963  
说明:
 MOSFET N-Ch Digital
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FDV303N_NB9U008 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:17 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:8.5 ns
功率耗散:350 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:8.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):450 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:0.68 A
闸/源击穿电压:8 V
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDV303N_NB9U008的详细信息,包括FDV303N_NB9U008厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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