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FDV303N_NB9U008

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：: 963
说明：: MOSFET N-Ch Digital

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FDV303N_NB9U008-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

FDV303N_NB9U008 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：8.5 ns
功率耗散：350 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：450 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：0.68 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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