FDV303N_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOT-23
数量:
 7965  
说明:
 MOSFET N-Ch Digital
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FDV303N_Q PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:17 ns
上升时间:8.5 ns
功率耗散:0.35 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1.45 S
下降时间:8.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.45 Ohms
漏极连续电流:0.68 A
闸/源击穿电压:8 V
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDV303N_Q的详细信息,包括FDV303N_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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