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FDV303N_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-23
数量：: 7965
说明：: MOSFET N-Ch Digital

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FDV303N_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns
上升时间：8.5 ns
功率耗散：0.35 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1.45 S
下降时间：8.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.45 Ohms
漏极连续电流：0.68 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDV303N_Q的详细信息，包括FDV303N_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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