中文参数如下:
典型关闭延迟时间:23 ns, 14 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:5 ns, 13 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:3 ns, 9 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):19 mOhms, 42 mOhms
漏极连续电流:7 A, - 5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:+/- 30 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
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