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FDS8962C

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 90
说明：: MOSFET SO8 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET

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FDS8962C PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FDS8962C_NL
典型关闭延迟时间：23 ns, 14 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：5 ns, 13 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：25 S, 10 S
下降时间：3 ns, 9 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：21 mOhms, 42 mOhms
漏极连续电流：7 A, - 5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：+/- 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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