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FDS8958B

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 8-SOIC
数量：
 36  
说明：
 MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench
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FDS8958B PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：12 nS, 17 nS
工厂包装数量：2500
上升时间：2 nS, 6 nS
功率耗散：1.6 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：2 nS, 6 nS
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：26 mOhms at N Channel, 51 mOhms at P Channel
漏极连续电流：6.4 A, - 4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/- 25 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS8958B的详细信息，包括FDS8958B厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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