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FDR842P_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SSOT-8
数量：
 6984  
说明：
 MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
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FDR842P_Q-SSOT-8图片

FDR842P_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：201 ns
上升时间：20 ns
功率耗散：1.8 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：56 S
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quint Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.009 Ohms
漏极连续电流：- 11 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDR842P_Q的详细信息，包括FDR842P_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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