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FDR858P

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）
数量：: 5265
说明：: MOSFET SSOT-8 P-CH -30V

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FDR858P PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：FDR858P_NL
典型关闭延迟时间：100 ns
工厂包装数量：750
上升时间：15 ns
功率耗散：1.8 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：25 S
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quint Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.019 Ohms
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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