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FDR856P

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SuperSOT-8
数量：: 7002
说明：: MOSFET DISC BY MFG 2/02

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FDR856P PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：80 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：12 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：SuperSOT-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quint Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：25 mOhms
漏极连续电流：5.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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