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FDR6678A

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SuperSOT-8
数量：: 6957
说明：: MOSFET SSOT-8 N-CH 30V

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FDR6678A PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
上升时间：9 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：SuperSOT-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quint Drain Dual Source
漏极连续电流：7.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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