首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FDR8305N

FDR8305N

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SuperSOT?-8
数量：: 5139
说明：: MOSFET SSOT-8 N-CH DUAL 20V

一、本商品被浏览0次.

FDR8305N PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FDR8305N_NL
典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：750
上升时间：15 ns
功率耗散：0.8 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：24 S
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.015 Ohms
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDR8305N的详细信息，包括FDR8305N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：