FDFMA3N109

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 6-MicroFET（2x2）
数量：: 8181
说明：: MOSFET PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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FDFMA3N109 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：12 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：8 ns
功率耗散：1500 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：MicroFET-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：123 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：2.9 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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