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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:17 ns
上升时间:3 ns
功率耗散:1.4 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:7.2 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :6 S
下降时间:11 ns
包装形式:Reel
封装形式:MicroFET 2x2
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single with Schottky Diode
电阻汲极/源极 RDS(导通):87 mOhms
漏极连续电流:- 3.3 A
闸/源击穿电压:25 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor
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