FDFME3N311ZT

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 6-MicroFET（1.6x1.6）
数量：: 1215
说明：: MOSFET Int. NCh PowerTrench MOSFET & Sch. Diode

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FDFME3N311ZT PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：16 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.8 S
下降时间：2.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：MicroFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：299 mOhms
漏极连续电流：1.6 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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