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FDD16AN08A0_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252AA
数量：: 4698
说明：: MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V

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FDD16AN08A0_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：32 ns
上升时间：54 ns
功率耗散：135 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：22 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252AA
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.016 Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD16AN08A0_Q的详细信息，包括FDD16AN08A0_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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