首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FDD20AN06A0_Q

FDD20AN06A0_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252
数量：: 4707
说明：: MOSFET N-Ch PowerTrench

一、本商品被浏览0次.

FDD20AN06A0_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23 ns
上升时间：98 ns
功率耗散：90 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：33 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.017 Ohms
漏极连续电流：45 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD20AN06A0_Q的详细信息，包括FDD20AN06A0_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：