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FDD18N20LZ

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：
 971  
说明：
 MOSFET 200V NChannel UniFET
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FDD18N20LZ-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

FDD18N20LZ PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
功率耗散：89 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：D-PAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.125 Ohms
漏极连续电流：16 A
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD18N20LZ的详细信息，包括FDD18N20LZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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