DMT10H010LSS-13

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: 8-SO
数量：: 2169
说明：: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3000 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：71 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 13A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.5A（Ta），29.5A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Diodes Incorporated

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