DMT10H010LSS-13

厂家:
  Diodes Incorporated
封装:
 8-SO
数量:
 2169  
说明:
 MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
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中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):1.4W(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3000 pF @ 50 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):71 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.5 毫欧 @ 13A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A(Ta),29.5A(Tc)
漏源电压(Vdss):100 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Diodes Incorporated

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