DMT10H9M9LCT

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: TO-220-3
数量：: 1719
说明：: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），156W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2309 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40.2 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 20A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：101A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Diodes Incorporated

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